Tomografická analýza polovodičových struktur metodou FIB-SIMS

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
B
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Práce se zabývá tomografickou analýzou struktury prokovů pomocí metody FIB-SIMS pro elektrotechnický průmysl. Pomocí fokusovaného iontového svazku dochází v řezech k odprašování materiálu ze vzorku, což umožňuje odhalit vnitřní struktury k povrchovému zkoumání pomocí TOF-SIMS. Vzniká takto sekvence 2D snímků z jednotlivých řezů vzorkem, která je použita k tomografické rekonstrukci struktury prokovu. Je pojednáváno o optimalizaci metody FIB-SIMS aplikováním kyslíkového iontového svazku pro zvýšení iontového výtěžku a redukci artefaktů. Práce taky pojednává o pozorované nestabilitě emisního proudu bismutových iontů ze zdroje LMIS.
This thesis deals with a tomographic analysis of the structure of through-silicon via utilizing TOF-SIMS; a method used in electrotechnical industry. A focused ion beam isused to create a cross section of a semiconductor to reveal its inner structure. Afterwards a newly created surface is analysed by TOF-SIMS to determine its chemical composition. A series of 2D images is created which are used for tomographic reconstruction of the through-silicon via. Moreover, the thesis deals with an optimization of FIB-SIMS method by employing oxygen ion beam for improvement of ionized sputter yield and for artifacts reduction. A measurement of instability of bismuth ion beam is demonstrated as well.
Description
Citation
MIČULKA, M. Tomografická analýza polovodičových struktur metodou FIB-SIMS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2020.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2020-07-16
Defence
Po otázkách oponenta bylo dále diskutováno: Energie primárních iontů Bi na vzorku. Student otázky zodpověděl.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO