New double current controlled CFA (DCC-CFA) based voltage-mode oscillator with independent electronic control of oscillation condition and frequency

Loading...
Thumbnail Image
Date
2013-03-27
ORCID
Advisor
Referee
Mark
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
FEI STU
Altmetrics
Abstract
In this paper, a new electronically tunable quadrature oscillator (ETQO) based on two modified versions of current feedback amplifiers (CFAs), the so called double current controlled CFA (DCC-CFAs) is presented. The frequency of oscillation (FO) of the proposed voltage-mode (VM) ETQO is electronically adjustable by current gain or by varying the intrinsic resistance of the X terminal of the active element used. The condition of oscillation (CO) is adjustable by current gain independently with respect to frequency of oscillation. Simultaneous control of current gain and intrinsic resistence allows linear control of FO and provides extension of frequency tuning range. In the proposed circuit all the capacitors are grounded. The use of only grounded capacitors makes the proposed circuit ideal for integrated circuit implementation. The presented active element realized by using BiCMOS technology and the behavior of proposed circuit are discussed in details. The theoretical results are verified by SPICE simulations based on CMOS ON-Semi C5 0.5 um and bipolar ultra high frequency transistor arrays Intersil HFA 3096 process parameters
V tomto článku je rozebrán elektronicky laditelný kvadraturní oscilátor založený na modifikované verzi CFA zesilovačů, tzv. dvojitě proudově řiditelné CFA (DCC-CFA). Kmitočet oscilací navrženého oscilátoru je laditelný nastavitelným proudovým zesílením nebo (a) změnou intrinzického odporu proudového vstupu X aktivního prvku. Podmínka oscilací je regulovatelná nezávisle na kmitočtu oscilací pomocí nastavitelného proudového zisku dalšího prvku. Souběžné řízení proudového zisku a vstupního odporu X dovoluje lineární ladění oscilačního kmitočtu a umožňuje rozšíření frekvenčního rozsahu přeladění. V navrhovaném obvodu jsou všechny pracovní kondenzátory zemněné, což činí tento obvod vhodným pro integraci na čip. Navržený aktivní prvek je modelován BiCMOS strukturou, jejíž návrh je detailněji vysvětlen. Za pomocí těchto modelů aktivních prvků (modely tranzistorů ONsemi C5 0.5 um a HFA3096) byly ověřeny teoretické předpoklady v PSpice.
Description
Citation
Journal of Electrical Engineering . 2013, vol. 64, issue 2, p. 65-75.
https://sciendo.com/article/10.2478/jee-2013-0010
Document type
Peer-reviewed
Document version
Published version
Date of access to the full text
Language of document
en
Study field
Comittee
Date of acceptance
Defence
Result of defence
Document licence
Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Citace PRO