Variation of a classical fingerprint of ideal memristor
Loading...
Date
2016-05-28
ORCID
Advisor
Referee
Mark
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Wiley
Altmetrics
Abstract
Gradual disappearance of hysteresis with increasing frequency of the exciting signal is considered a classical fingerprint of general memristive systems. The paper analyzes a special version of this fingerprint, when the value of the charge delivered within the half-period remains constant while the frequency of the sinusoidal current is increasing. Under these conditions, the area of the pinched hysteresis loop of the ideal memristor increases with the square of the frequency. Breaking the rules of this fingerprint indicates reliably that the element analyzed is not an ideal memristor.
Zanikání hystereze při zvyšování frekvence periodického budicího signálu je považováno za klasický fingerprint obecných memristivních systémů. Tento článek rozebírá zvláštní variantu tohoto fingerprintu, kdy je při zvyšování frekvence buzení harmonickým proudem zachován náboj dodávaný v rámci půlperiody. Za těchto podmínek roste plocha hysterezní smyčky ideálního memristoru s kvadrátem frekvence. Porušení podmínek tohoto fingerprintu spolehlivě ukazuje na to, že zkoumaný prvek není ideálním memristorem.
Zanikání hystereze při zvyšování frekvence periodického budicího signálu je považováno za klasický fingerprint obecných memristivních systémů. Tento článek rozebírá zvláštní variantu tohoto fingerprintu, kdy je při zvyšování frekvence buzení harmonickým proudem zachován náboj dodávaný v rámci půlperiody. Za těchto podmínek roste plocha hysterezní smyčky ideálního memristoru s kvadrátem frekvence. Porušení podmínek tohoto fingerprintu spolehlivě ukazuje na to, že zkoumaný prvek není ideálním memristorem.
Description
Citation
International Journal of Circuit Theory and Applications.. 2016, vol. 44, issue 5, p. 1202-1207.
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/cta.2121/full
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/cta.2121/full
Document type
Peer-reviewed
Document version
Published version
Date of access to the full text
Language of document
en