Kontaminace při výrobě polovodičů
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická
Abstract
Tato bakalářská práce se zabývá kontaminací ve výrobě polovodičových substrátů. Zaměřuje se na efektivitu a optimalizaci mokrých čistících procesů polovodičových desek z monokrystalického křemíku a karbidu křemíku. Součástí práce je literární rešerše z oblasti polovodičové výroby, kontaminace desek a jejich mytí. Mezi nejčastěji sledované kovové kontaminanty patří železo, měď a nikl, kvůli jejich vysoké míře difuzivity, a proto byly tyto prvky vybrány pro experimentální část. V experimentální části byly desky připraveny cílenou kontaminací pro ověření efektivity mycích lázní. Vyhodnocení kontaminace probíhalo pomocí metody rozkladu z plynné fáze v kombinaci s hmotnostní spektrometrií s indukčně vázaným plasmatem (VPD-ICP-MS) pro křemíkové desky a pomocí rentgenové fluorescence s totálním odrazem (TXRF) pro desky z karbidu křemíku. Na základě výsledků měření byla vyhodnocena efektivita mycích procesů a doporučen postup pro optimalizaci procesů.
This bachelor thesis deals with contamination in the production of semiconductor substrates. It focuses on the efficiency and optimization of wet cleaning processes for monocrystalline silicon and silicon carbide semiconductor wafers. The thesis includes a literature research in the field of semiconductor manufacturing, wafer contamination and wafer cleaning processes. The most commonly studied metal contaminants include iron, copper and nickel, due to their high diffusivity, and therefore these elements were chosen for the experimental part. In the experimental part, wafers were prepared by targeted contamination to verify the effectiveness of the cleaning processes. Contamination analysis was performed using the vapour phase decomposition method combined with inductively coupled plasma mass spectrometry (VPD-ICP-MS) for silicon wafers and total reflection X-ray fluorescence (TXRF) for silicon carbide wafers. Based on the measurement results, the efficiency of the washing processes was evaluated and a procedure for process optimization was recommended.
This bachelor thesis deals with contamination in the production of semiconductor substrates. It focuses on the efficiency and optimization of wet cleaning processes for monocrystalline silicon and silicon carbide semiconductor wafers. The thesis includes a literature research in the field of semiconductor manufacturing, wafer contamination and wafer cleaning processes. The most commonly studied metal contaminants include iron, copper and nickel, due to their high diffusivity, and therefore these elements were chosen for the experimental part. In the experimental part, wafers were prepared by targeted contamination to verify the effectiveness of the cleaning processes. Contamination analysis was performed using the vapour phase decomposition method combined with inductively coupled plasma mass spectrometry (VPD-ICP-MS) for silicon wafers and total reflection X-ray fluorescence (TXRF) for silicon carbide wafers. Based on the measurement results, the efficiency of the washing processes was evaluated and a procedure for process optimization was recommended.
Description
Citation
FOJTÁŠKOVÁ, H. Kontaminace při výrobě polovodičů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická. 2022.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
bez specializace
Comittee
doc. Ing. František Šoukal, Ph.D. (předseda)
prof. RNDr. Josef Jančář, CSc. (člen)
prof. Ing. Ladislav Omelka, DrSc. (člen)
prof. Ing. Petr Ptáček, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Jaromír Wasserbauer, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Lucy Vojtová, Ph.D. (člen)
Ing. Lukáš Tvrdík (člen)
Date of acceptance
2022-06-16
Defence
Studentka obhajovala práci na téma Kontaminace při výrobě polovodičů. Nejdříve představila cíle a motivaci své práce, a poté metody měření a způsoby kontaminace. V rámci výsledků se zaměřila především na odstranění kontaminantů z použité desky a zejména na problémy s výskytem železa. Studentka po zajímavé prezentaci přešla na otázky oponenta:
"1. Jaké je vysvětlení pro totální odraz ve vaší práci? Má souvislost s Braggovým rozptylem?
"
"2. Jaká je koncentrace atomů Si a SiC a koncentrace cizorodých atomů kontaminace? Lze ji odvodit z vašich výsledků?
"
"3. Čím se dopuje SiC ? "
Po zodpovězení otázek oponenta položila komise tyto otázky:
1) Jak se prakticky pracuje s kontaminovanými deskami?
2) Jedná se o desky z monokrystalů?
Na veškeré otázky studentka výborně odpověděla.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení