Polovodičové struktury, metoda nábojového sběru
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
D
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Práce pojednává o studiu struktur polovodivého křemíku. Popisuje vlastnosti tohoto prvku a vytvoření polovodiče typu P a N, dále se zabývá typy poruch krystalické mřížky. Zabývá se popisem metod sledování poruch v polovodiči, stanovení vlastností polovodičů tj. metodou EBIC, EBIV a CC, které jsou využívány k analýze polovodičových součástek a materiálů. Zjišťování vlastností křemíkových součástek probíhá pomoci generace nosičů náboje ve vzorku, vloženého do komory rastrovacího elektronového mikroskopu dopadajícími vyskoenergiovými elektrony a následným sběrem naindukovaného náboje na PN přechodu. Pomocí dat získaných metodou EBIC a CC byly vyhodnoceny difúzní délka a doba života elektronů.
This thesis treats about semiconducting silicon structures. It describes the characteristics of the element and creation of P and N type of semiconductor and discusses about different types of faults in the crystal lattice. It deals with the description of methods for monitoring faults in semiconductor ie. determining the properties of semiconductors via EBIC, EBIV and CC methods, which are used for analysis of semiconductor devices and materials. Determining the properties of silicon components is being done by generation of charge carriers in the sample loaded in chamber of the scanning electron microscope by high energy electrons. Bellow the sample surface is being generated an electric charge which is being collected by probes. Using this data obtained by EBIC and CC were evaluated diffusion length and lifetime of electrons.
This thesis treats about semiconducting silicon structures. It describes the characteristics of the element and creation of P and N type of semiconductor and discusses about different types of faults in the crystal lattice. It deals with the description of methods for monitoring faults in semiconductor ie. determining the properties of semiconductors via EBIC, EBIV and CC methods, which are used for analysis of semiconductor devices and materials. Determining the properties of silicon components is being done by generation of charge carriers in the sample loaded in chamber of the scanning electron microscope by high energy electrons. Bellow the sample surface is being generated an electric charge which is being collected by probes. Using this data obtained by EBIC and CC were evaluated diffusion length and lifetime of electrons.
Description
Citation
GOLDA, M. Polovodičové struktury, metoda nábojového sběru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2014.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Elektrotechnická výroba a management
Comittee
prof. Ing. Karel Bartušek, DrSc. (předseda)
doc. Ing. Vítězslav Novák, Ph.D. (místopředseda)
Ing. Jiří Starý, Ph.D. (člen)
Ing. Miroslav Zatloukal (člen)
Ing. Ondřej Čech, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2014-06-11
Defence
Diplomant seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením své diplomové práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta.
Je vztah pro hloubku vniku elektronového svazku matematicky odvozený nebo empirický?
Co je to difúzní délka a jaký je její rozměr?
Byla snaha analyzování defektů v integrovaných obvodech?
Jak je ralizováno měření polohy PN přechodu?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení