Studium rozhraní grafen/křemík užitím metody EBIC
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Táto bakalárska práca sa zameriava na štúdium rozhrania grafén/kremík nachádzajúcom sa na solárnom článku s grafénovou vrstvou. Toto rozhranie bolo študované pomocou metódy EBIC a Ramanovej spektroskopie. Solárne články s grafénovou vrstvou boli vyrobené použitím elektrónovej litografie, chemického leptania a grafénu vyrobeného metódou CVD. Práca popisuje výrobu solárnych článkov s grafénovou vrstvou, metódu EBIC meranú pomocou SEM-u a analýzu zmien rozhrania grafén/kremík zapríčinených osvietením elektrónovým lúčom pomocou Ramanovej spektroskopie. V teoretickej časti je popísaný p-n prechod a Schottkyho prechod na solárnom článku, grafén a jeho výroba, ako aj základy metódy EBIC.
This bachelor thesis is dedicated to study of interface graphene-on-silicon located on solar cell with graphene layer. The interface was studied by EBIC method and Raman spectroscopy. Solar cells with graphene sheet was fabricated using electron litography, chemical etching and graphene made by CVD method. The thesis describes fabrication of solar cells with graphene layer, method EBIC measured on SEM and analysis of changes graphene-on-silicon interface caused by enlightenment electron beam by Raman spectroscopy. In theorethical part is described p-n junction and Schottky junction of solar cell, graphene and its fabrication, as well as EBIC method fundamentals.
This bachelor thesis is dedicated to study of interface graphene-on-silicon located on solar cell with graphene layer. The interface was studied by EBIC method and Raman spectroscopy. Solar cells with graphene sheet was fabricated using electron litography, chemical etching and graphene made by CVD method. The thesis describes fabrication of solar cells with graphene layer, method EBIC measured on SEM and analysis of changes graphene-on-silicon interface caused by enlightenment electron beam by Raman spectroscopy. In theorethical part is described p-n junction and Schottky junction of solar cell, graphene and its fabrication, as well as EBIC method fundamentals.
Description
Citation
HAMMEROVÁ, V. Studium rozhraní grafen/křemík užitím metody EBIC [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2014.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda)
prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen)
prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of acceptance
2014-06-25
Defence
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení