Návrh napěťové reference v technologii ONSemi I3T

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Napěťové reference tvoří základní součást většiny integrovaných obvodů. Cílem této práce je popsat jejich princip a v technologii ONSemi I3T25 navrhnout kompletní obvod reference včetně layoutu. Byla navržena bandgap napěťová reference s výstupním napětím 1,25 V a s předstabilizací napětí. Pro zvýšení přesnosti byl použit pětibitový trimovací obvod.
Voltage references form an essential part of most integrated circuits. The aim of this thesis is to describe their principle and design complete circuit including layout in ONSemi I3T technology. Bandgap voltage reference with 1,25 V out-put and with preregulator was designed. Five-bit trimming circuit was used to increase accuracy.
Description
Citation
PĚČEK, L. Návrh napěťové reference v technologii ONSemi I3T [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2015.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
prof. Ing. Vladislav Musil, CSc. (předseda) Ing. Boleslav Psota, Ph.D. (místopředseda) Ing. Marek Bohrn, Ph.D. (člen) doc. Ing. Ladislav Hulenyi, CSc. (člen) Ing. Ondřej Hégr, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2015-06-15
Defence
Student seznámil státní závěrečnou komisi s cílem a řešením své bakalářské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Otázky v diskuzi: Co znamená trimování?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO