Návrh a testování vhodné metodiky pro čištění povrchů preparátů in situ pro elektronovou mikroskopii pomalými elektrony
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Tato práce se zabývá metodikou přípravy polovodičových vzorků pro pozorování dopova- ných struktur v rastrovacím elektronovém mikroskopu pomalými elektrony. V první části je podrobně zpracována teorie zobrazování povrchů pomocí elektronového svazku a rozdíly klasické rastrovací elektronové mikroskopie (SEM) a rastrovací elektronové mikroskopie pomalými elektrony (LVSEM). Je vysvětlen vznik kontrastu v SEM i LVSEM i teorie popisující vznik kontrastu různě dopovaných polovodičů. Druhá část obsahuje naměřená experimentální data. Jsou diskutovány výhody a nedostatky přípravy povrchu štípáním i fokusovaným iontovým svazkem (FIB), který byl shledán jako nejlepší způsob přípravy povrchu pro analýzu přesně určeného místa na vzorku. Nutné je použití co nejnižšího urychlovacího napětí závěrečného leštění FIB, ideálně 1 kV.
This thesis concentrates on the methodology of semiconductor samples preparation for low voltage scanning electron microscopy. In the first part a detailed theory of sample imaging using electron beam and difference between classical scanning electron microscopy (SEM) and low voltage scanning electron microscopy (LVSEM) is described. It is given a description of a contrast formation in SEM and LVSEM and theories describing a contrast formation of differently doped semiconductors. The second part contains experimental data. The advantages and disadvantages of cleavage and focused ion beam (FIB) milling as sample preparation techniques are discussed. FIB was found as the best method for sample preparation for the analysis of precisely defined location on the sample. It is necessary to use the lowest possible FIB accelerating voltage for final polishing, ideally 1 kV.
This thesis concentrates on the methodology of semiconductor samples preparation for low voltage scanning electron microscopy. In the first part a detailed theory of sample imaging using electron beam and difference between classical scanning electron microscopy (SEM) and low voltage scanning electron microscopy (LVSEM) is described. It is given a description of a contrast formation in SEM and LVSEM and theories describing a contrast formation of differently doped semiconductors. The second part contains experimental data. The advantages and disadvantages of cleavage and focused ion beam (FIB) milling as sample preparation techniques are discussed. FIB was found as the best method for sample preparation for the analysis of precisely defined location on the sample. It is necessary to use the lowest possible FIB accelerating voltage for final polishing, ideally 1 kV.
Description
Citation
RUDOLFOVÁ, Z. Návrh a testování vhodné metodiky pro čištění povrchů preparátů in situ pro elektronovou mikroskopii pomalými elektrony [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2012.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda)
prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen)
prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of acceptance
2012-06-18
Defence
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení