Transportní, šumové a strukturální vlastnosti detektorů vysokoenergetického záření na bázi CdTe
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
P
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Poptávka ze strany vesmírného výzkumu, zdravotnictví a bezpečnostního průmyslu způsobila v posledních letech zvýšený zájem o vývoj materiálů pro detekci a zobrazování vysokoenergetického záření. CdTe a jeho slitina CdZnTe. jsou polovodiče umožnují detekci záření o energiích v rozsahu 10 keV až 500 keV. Šířka zakázaného pásma u CdTe / CdZnTe je 1.46 -1.6 eV, což umožňuje produkci krystalů o vysoké rezistivitě (10^10-10^11 cm), která je dostačující pro použití CdTe / CdZnTe při pokojové teplotě. V mé práci byly zkoumány detektory CdTe/CdZnTe v různých stádiích jejich poruchovosti. Byly použity velmi kvalitní spektroskopické detektory, materiál s nižší rezistivitou a výraznou polarizací, detektory s asymetrií elektrických parametrů kontaktů a teplotně degenerované vzorky. Z výsledků analýzy nízkofrekvenčního šumu je patrný obecný závěr, že zvýšená koncentrace defektů způsobí změnu povahy původně monotónního spektra typu 1/f na spektrum s výrazným vlivem generačně-rekombinačních procesů. Další výrazná vlastnost degenerovaných detektorů a detektorů nižší kvality je nárůst spektrální hustoty šumu typu 1/f se vzrůstajícím napájecím napětí se směrnicí výrazně vyšší než 2. Strukturální a chemické analýzy poukázaly, že teplotní generace detektorů způsobuje difuzi kovu použitého při kontaktování a stopových prvků hlouběji do objemu krystalu. Část mé práce je věnována modifikaci povrchu svazkem argonových iontů a jejímu vlivu na chemické složení a morfologii povrchu.
Because of demands from space research, healthcare and nuclear safety industry, gamma and X-ray imaging and detection is rapidly growing topic of research. CdTe and its alloy CdZnTe are materials that are suitable to detect high energy photons in range from 10 keV to 500 keV. Their 1.46 -1.6 eV band gap gives the possibility of high resistivity (10^10-10^11 cm) crystals production that is high enough for room temperature X-ray detection and imaging. CdTe/CdZnTe detectors under various states of their defectiveness. Investigation of detector grade crystals, crystals with lower resistivity and enhanced polarization, detectors with asymmetry of electrical characteristics and thermally degenerated crystals were subject of my work in terms of analysis of their current stability, additional noise, electric field distribution and structural properties. The results of the noise analysis showed that enhanced concentration of defects resulted into change from monotonous spectrum of 1/f noise to spectrum that showed significant effects of generation-recombination mechanisms. Next important feature of deteriorated quality of investigated samples was higher increase of the noise power spectral density than 2 with increasing applied voltage. Structural and chemical analyses showed diffusion of metal material and trace elements deeper to the crystal bulk. Part of this work is also focused on surface modification by argon ion beam and its effect on chemical and morphological properties of the surface.
Because of demands from space research, healthcare and nuclear safety industry, gamma and X-ray imaging and detection is rapidly growing topic of research. CdTe and its alloy CdZnTe are materials that are suitable to detect high energy photons in range from 10 keV to 500 keV. Their 1.46 -1.6 eV band gap gives the possibility of high resistivity (10^10-10^11 cm) crystals production that is high enough for room temperature X-ray detection and imaging. CdTe/CdZnTe detectors under various states of their defectiveness. Investigation of detector grade crystals, crystals with lower resistivity and enhanced polarization, detectors with asymmetry of electrical characteristics and thermally degenerated crystals were subject of my work in terms of analysis of their current stability, additional noise, electric field distribution and structural properties. The results of the noise analysis showed that enhanced concentration of defects resulted into change from monotonous spectrum of 1/f noise to spectrum that showed significant effects of generation-recombination mechanisms. Next important feature of deteriorated quality of investigated samples was higher increase of the noise power spectral density than 2 with increasing applied voltage. Structural and chemical analyses showed diffusion of metal material and trace elements deeper to the crystal bulk. Part of this work is also focused on surface modification by argon ion beam and its effect on chemical and morphological properties of the surface.
Description
Keywords
slova CdTe, CdZnTe, teplotní degradace, šum, přechod polovodič-kov, hloubkový profil prvkového složení, modifikace povrchu, heterostruktura, polarizace, rozložení elektrického pole, SIMS, XPS, Auger, XRD, bombardování ionty, CdTe, CdZnTe, thermal degradation, noise, metal-semiconductor junction, elemental concentration depth profile, surface modification, heterostructure, polarization, electric field distribution, SIMS, XPS, Auger, XRD, ion bombardment.
Citation
ŠIK, O. Transportní, šumové a strukturální vlastnosti detektorů vysokoenergetického záření na bázi CdTe [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
en
Study field
Fyzikální elektronika a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Pavel Tománek, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Vladimír Aubrecht, CSc. (člen)
prof. Dr. RNDr. Jiří Luňáček (člen)
prof. Ing. RNDr. Josef Šikula, DrSc. (člen)
prof. RNDr. Vladislav Navrátil, CSc. - oponent (člen)
prof. Ing. Josef Lazar, Ph.D. - oponent (člen)
Date of acceptance
2016-12-01
Defence
Předložená disertační práce je zaměřena na detailní rozbor příčin poruchovosti detektorů CdTe/CdZnTe. Uvedený polovodičový materiál je v současné době pokládán za jeden z nejvhodnějších pro detekci a zobrazování vysoce energetického záření.
Z toho důvodu disertant provedl velmi komplexní studium vzorků fotodetektorů na bázi polovodičové struktury CdTe. V úvodní stati popisuje základní charakteristiky těchto materiálů, stručně je zmíněna technologie výroby a následně jejich parametry, které jsou zásadní pro parametry fotodetektorů. Měření analýza a interpretace naměřených dat je pak jádrem předkládané práce. Přístup, který autor zvolil, je vskutku komplexní a svědčí o porozumění fyzice polovodičů a také o záviděníhodném instrumentálním vybavení, které měl k dispozici.
Oponenti vysoce hodnotí kvalitu práce po odborné stránce, měli drobné výhrady proti jazykové stránce disertace.
V rozpravě zodpověděl řadu dotazů týkajících se experimentů i svého podílu na nich a odpověděl na podněty ke zlepšení kvality jazykového projevu.
Komise konstatovala, že obhajoba disertační práce proběhla velmi úspěšně, dosažené výsledky jsou vysoce originální a jsou přínosem pro další rozvoj oboru nedestruktivní diagnostiky nové třídy detektorů pro hluboké UV.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení