Selektivní růst kovových materiálů.

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Diplomová práce pojednává o studiu selektivního růstu tenkých vrstev kobaltu na Si(111) s tenkou vrstvou oxidu křemičitého na mřížkách, které byly vytvořeny metodou fokusovaného iontového svazku, a o růstu a morfologii tenké vrstvy železa rostoucí na substrátu Si/SiO2 bez úpravy. Dále jsou zkoumány vrstvy a-C:H, vliv depozičních parametrů na jejich vlastnosti a poměr vazeb sp2 a sp3. Pro analýzu těchto vrstev jsou použity metody XPS, AFM a SEM.
The diploma thesis deals with selective growth of cobalt thin films on lattices created by focused ion beam on Si(111) substrates with thin film of silicon dioxide. Further, the growth and morphology of iron thin films growing on Si/SiO2 substrate without modification was studied. In the last part, thin film of a-C:H, influence of preparation parameters on their growth and ratio of sp2 and sp3 bonds, was investigated. For analysis of those films XPS, AFM, and SEM metods were used.
Description
Citation
ŠIMÍKOVÁ, M. Selektivní růst kovových materiálů. [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2009.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) doc. RNDr. Josef Kuběna, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of acceptance
2009-06-17
Defence
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO