Metoda napěťového kontrastu v EREM
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
B
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Tato práce obsahuje teoretický popis základních vlastností a principu elektronové mikroskopie, se zaměřením na environmentální rastrovací elektronovou mikroskopii. Popisuje funkci mikroskopu, interakce probíhající po dopadu elektronového svazku na vzorek, především pak vznik zpětně odražených a sekundárních elektronů a metodu napěťového kontrastu. Praktická část se zabývá problematikou napěťového kontrastu pro sledování rozložení elektrických potenciálů na površích polovodičových součástek a stanovuje vhodné pracovní podmínky pro pozorování napěťového kontrasu pomocí scintilačního detektoru sekundárních elektronů.
This work contains theoretical description of basic features and principles of electron microscopy, with focus on environmental scanning electron microscopy. It describes function of the microscope, interactions that takes place after collision of electron pack with a sample, mainly it describes creation of back reflected electrons and secondary electrons and methods of voltage contrast. The practical part focus on voltage contrast issue by observing decomposition of electric potentials on surface of semiconductor devices and it establishes ideal working conditions for observing voltage contrast by scintillation detector of secondary electrons.
This work contains theoretical description of basic features and principles of electron microscopy, with focus on environmental scanning electron microscopy. It describes function of the microscope, interactions that takes place after collision of electron pack with a sample, mainly it describes creation of back reflected electrons and secondary electrons and methods of voltage contrast. The practical part focus on voltage contrast issue by observing decomposition of electric potentials on surface of semiconductor devices and it establishes ideal working conditions for observing voltage contrast by scintillation detector of secondary electrons.
Description
Keywords
Environmentální rastrovací elektronový mikroskop (EREM), scintilační detektor (SD), ionizační detektor (ID), sekundární elektrony (SE), zpětně odražené elektrony (BSE)., Environmental scanning electron microscope (ESEM), scintillation detector (SD), ionization detector (ID), secondary electrons (SE), back scattered electrons (BSE).
Citation
KRŇÁVEK, M. Metoda napěťového kontrastu v EREM [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2011.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
prof. Ing. Jiří Kazelle, CSc. (předseda)
doc. Ing. Radek Polanský, Ph.D. (místopředseda)
Ing. Miroslav Zatloukal (člen)
Ing. Ondřej Hégr, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Jiří Maxa, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2011-06-13
Defence
Student seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením své bakalářské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta.
Otázky u obhajoby:
Při jakém tlaku v tubusu mikroskopu bylo měření prováděno?
Používal jste ve Vašem systému turbomolekulární pumpu?
Jak se mění napěťový kontrast se zvyšujicím se tlakem?
Proč nemá smysl ve VP-SEM/ ESEM detekovat Augerovy elektrony?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení