Depozice a charakterizace GaN nanostruktur s kovovým jádrem

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Tato diplomova prace se zabyva prpravou a charakterizac GaN nanokrystalu s kovovym jadrem. V teoreticke casti teto prace je predstaven material GaN se svymi vlastnos- tmi a aplikacemi. Dale jsou uvedeny substraty pro rust a jednotlive mechanismy rustu GaN nanokrystalu. V dalsm jsou popsany kovove nanocastice a jejich opticke vlastnosti umoznujc zesilovan fotoluminiscence na zaklade interakce plasmonu a GaN. Experi- mentaln cast se zabyva prpravou GaN nanokrystalu s Ag jadrem ve ctyrech krocch. Prvne jsou Ag nanocastice naneseny na substrat Si(111). Nasledne se nechaj zoxidovat. Tretm krokem je depozice Ga a poslednm je nitridace. Jednotlive kroky byly opti- malizovany a analyzovany ruznymi metodami, jako je XPS, SEM, fotoluminiscence a Ramanova spektroskopie.
The thesis deals with preparation and characterization of GaN nanocrystals with a metal core. In the theoretical part of the thesis GaN with its properties and applications is introduced. Further, substrates for the growth and dierent mechanisms of the growth of GaN are discussed. Further, metal NPs are introduced and their optical proper- ties are discussed towards plasmon coupling and photoluminiscent enhancement of GaN structures with Ag NPs. The experimental part concerns with four step preparation process of GaN nanocrystals with Ag core. Firstly, Ag NPs are deposited on Si(111) substrate, secondly passivated by native oxide. Third step is Ga deposition and last post-nitridation. Each step was optimized and studied by various methods such as XPS, SEM, photoluminiscence and Raman spectroscopy.
Description
Citation
ČALKOVSKÝ, V. Depozice a charakterizace GaN nanostruktur s kovovým jádrem [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2018.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
en
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Eduard Schmidt, CSc. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2018-06-18
Defence
Jak by bylo možno vyřešit lokalizaci GaN struktur na vzorku? Dá se ovlivnit velikost GaN krystalů? Závisí luminiscencena velikosti stříbrných částic? Byly prováděny obdobné experimenty také na zlatě? Jaké vlastnosti by bylo možné očekávat?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO