GaN modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Tato práce se zabývá přípravou a charakterizací Schottkyho solárních článků s přechodem grafen/křemík. Pro tuto studii byla navržena a vyrobena aparatura pro měření I-V charakteristik solárního článku. Rozhraní grafen/křemík bylo dále modifikováno nanokrystaly galium nitridu a byl studován vliv těchto krystalů na vlastnosti solárního článku.
This bachelor thesis deals with fabrication and characterization of Schottky solar cells with graphene/silicon junction. For this study, the I-V characteristic measuring device was designed and assembled. Also, the graphene/silicon junction was modified by GaN nanocrystals and properties of such a solar cell was studied.
Description
Citation
MOHELSKÝ, I. GaN modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2018.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2018-06-21
Defence
Byly zodpovězeny otázky oponenta.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO