Low-frequency noise measurements used for quality assessment of GaSb based laser diodes prepared by molecular beam epitaxy
Loading...
Date
2015-08-01
ORCID
Advisor
Referee
Mark
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology of the Slovak University of Technology
Altmetrics
Abstract
The paper reports on a non-destructive method of reliability prediction for semiconductor lasers diodes GaSb based VCSE. Transport and noise characteristic of forward biased were measured in order to evaluate the new MBE technology.
Článek popisuje nedestruktivní testování pro určení kavality a spolehlivosti polovodičových diod GaSb vyrobených na zkladě VCSE. Byly měřeny proudové a šumové charakteristiky v propustném směru pro vzorky vyvinuté novou MBE technologií.
Článek popisuje nedestruktivní testování pro určení kavality a spolehlivosti polovodičových diod GaSb vyrobených na zkladě VCSE. Byly měřeny proudové a šumové charakteristiky v propustném směru pro vzorky vyvinuté novou MBE technologií.
Description
Citation
Journal of Electrical Engineering
. 2015, vol. 66, issue 4, p. 226-230.
https://content.sciendo.com/view/journals/jee/66/4/article-p226.xml
https://content.sciendo.com/view/journals/jee/66/4/article-p226.xml
Document type
Peer-reviewed
Document version
Published version
Date of access to the full text
Language of document
en
Study field
Comittee
Date of acceptance
Defence
Result of defence
Document licence
Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 Unported
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/