but.committee	prof. RNDr. Pavel Tománek, CSc. (předseda) prof. RNDr. Vladimír Aubrecht, CSc. (člen) Doc.RNDr. Pavel Moravec, CSc. (člen) prof. RNDr. Vladislav Navrátil, CSc. (člen) prof. Ing. Bohumil Koktavý, CSc. - oponent (člen) doc. RNDr. Milada Bartlová, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Vratislav Kapička, DrSc. (člen) Ing. M.S.M.E. Jiří Jeništa, CSc. (člen) prof. Ing. Lubomír Hudec, DrSc. - oponent (člen)	cs
but.defence	Předkládaná disertační práce je zaměřena na využití elektromagnetické a akustické emise pro diagnostiku moderních kompozitních materiálů. Doktorand prezentoval přehled dosavadního stavu problematiky, cíle práce a jejich splnění a zejména vlastní přínos k této problematice. V rozpravě zodpověděl řadu dotazů týkajících se navržené metodiky a směrů dalšího výzkumu nedestruktivní charakterizace kompozitních materiálů. Komise konstatovala, že obhajoba disertační práce byla mimořádně úspěšná, některé z dosažených výsledků by mohly být přínosem pro další rozvoj oboru nedestruktivní diagnostiky.	cs
but.jazyk	angličtina (English)
but.program	Elektrotechnika a komunikační technologie	cs
but.result	práce byla úspěšně obhájena	cs
dc.contributor.advisor	Sedláková, Vlasta	en
dc.contributor.author	Kopecký, Martin	en
dc.contributor.referee	Koktavý, Bohumil	en
dc.contributor.referee	Hudec, Lubomír	en
dc.date.accessioned	2019-04-03T22:59:19Z
dc.date.available	2019-04-03T22:59:19Z
dc.date.created	2015	cs
dc.description.abstract	Studium transportu náboje v Ta2O5 oxidových nanovrstvách se zaměřuje především na objasnění vlivu defektů na vodivost těchto vrstev. Soustředíme se na studium oxidových nanovrstev Ta2O5 vytvořených pomocí anodické oxidace. Proces výroby Ta2O5 zahrnuje řadu parametrů, jež ovlivňují koncentraci defektů (oxidových vakancí) v této struktuře. Vrstva oxidu Ta2O5 o tloušťce 20 až 200 nm se často používá jako dielektrikum pro tantalové kondenzátory, které se staly nedílnou součástí elektrotechnického průmyslu. Kondenzátory s Ta2O5 dielektrickou vrstvou lze modelovat jako strukturu MIS (kov – izolant – polovodič). Anodu tvoří tantal s kovovou vodivostí, katodu potom MnO2 či vodivý polymer (CP), které jsou polovodiče. Hodnoty elektronových afinit, respektive výstupních prací, jednotlivých materiálů potom určují výšku potenciálových bariér vytvořených na rozhraních kov-izolant (M – I) a izolant-polovodič (I – S). Dominantní mechanizmy transportu náboje lze určit analýzou I-V charakteristiky zbytkového proudu. Dominantní mechanizmy transportu náboje izolační vrstvou jsou ohmický, Poole-Frenkelův, Shottkyho a tunelování. Uplatnění jednotlivých vodivostních mechanismů je závislé na teplotě a intenzitě elektrického pole v izolantu. Hodnota zbytkového proud je významným indikátorem kvality daného izolantu. Ten závisí na technologii výroby kondenzátoru, významně především na parametrech anodické oxidace a na materiálu katody. I-V charakteristiky zbytkového proudu se měří v normálním a reversním módu, tj. normální mód značí kladné napětí na anodě a reversní mód záporné napětí na anodě. I-V charakteristika je výrazně nesymetrická, a proto tyto kondenzátory musí být vhodně polarizovány. Nesymetrie I-V charakteristiky se snižuje s klesající teplotou, při teplotě pod 50 K a je možno některé kondenzátory používat jako bipolární součástky. Z analýzy I-V charakteristiky lze určit řadu parametrů, jako tloušťku izolační vrstvy a koncentraci defektů v izolační Ta2O5 vrstvě a dále lze odhadnout parametry MIS modelu kondenzátoru - stanovit hodnotu potenciálových bariér na rozhraních M – I a I – S. Měření C-V charakteristik při různých teplotách v rozsahu 10 až 300 K je využíto pro určení výšky potenciálové bariéry na rozhraní I – S, závislosti kapacity na teplotě a dále pro výpočet efektivní plochy elektrod. Z výbrusu vzorků na skenovacím elektronovém mikroskopu byly určeny tloušťky dielektrika Ta2O5 pro jednotlivé vyhodnocované řady kondenzátorů.	en
dc.description.abstract	The study of charge carrier transport in Ta2O5 oxide nanolayers is oriented on the explanation of the defects influence on the conductivity of these layers. We are concerned on the study of tantalum pentoxide nanolayers provided by the anodic oxidation. The technology process of oxide preparation contains many parameters which influence the defects concentration (probably oxygen vacancies) in the structure. Tantalum pentoxide of the thickness 20 to 200 nm is used as a dielectric layer in the tantalum capacitors. These capacitors can be considered as a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure. Anode is formed from the tantalum powder with metallic conductivity and cathode is from manganese dioxide (MnO2) or conducting polymer (CP), respectively, both with semiconductor conductivity. The dominant mechanisms of the charge carriers’ transport in the Ta2O5insulating layer are ohmic, Poole-Frenkel, Schottky and tunneling, and these could be determined from the analysis of the leakage current I-V characteristic. Particular transport mechanisms are dependent on temperature and electric field in the insulation layer. The leakage current is important indicator of the insulation layer quality. Its value depends on the production technology, namely on the anodic oxidation and the cathode material. I-V characteristic is measured both in normal and reverse mode, it means the positive bias on anode for the normal mode and negative bias applied on anode for the reverse mode. I-V characteristic is asymmetric at the room temperature. This asymmetry decreases with decreasing temperature, and for the temperature below 50 K some of capacitors could be used as bipolar devices. From the analysis of I-V characteristic many parameters as insulator layer thickness or defect concentration in the Ta2O5 layer could be determined. We can also asses the MIS model parameters and determine the value of potential barriers on the M – I and I – S interfaces. C-V characteristics measurements and their temperature dependencies could be used for the estimation of capacitor electrodes affective area and the defects’ concentration in the Ta2O5 layer. The analysis of the capacitor cross-sections was performed by scanning electron microscope and the measurements of Ta2O5 layer thickness were performed for the each series of the capacitors.	cs
dc.description.mark	P	cs
dc.identifier.citation	KOPECKÝ, M. Transport náboje v Ta2O5 oxidových nanovrstvách s aplikací na tantalové kondenzátory [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2015.	cs
dc.identifier.other	64998	cs
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11012/38073
dc.language.iso	en	cs
dc.publisher	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií	cs
dc.rights	Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení	cs
dc.subject	tantalové kondenzátory	en
dc.subject	MIS struktura	en
dc.subject	transport elektronu	en
dc.subject	tunelový proud	en
dc.subject	oxid tantaličný	en
dc.subject	vodivý polymer	en
dc.subject	oxid manganičitý	en
dc.subject	Ta2O5	en
dc.subject	tantalum capacitor	cs
dc.subject	MIS structure	cs
dc.subject	electron transport	cs
dc.subject	tunneling current	cs
dc.subject	tantalum pentoxide	cs
dc.subject	conducting polymer	cs
dc.subject	manganese dioxide	cs
dc.subject	Ta2O5	cs
dc.title	Transport náboje v Ta2O5 oxidových nanovrstvách s aplikací na tantalové kondenzátory	en
dc.title.alternative	Charge Carrier Transport in Ta2O5 Oxide Nanolayers with Application to the Tantalum Capacitors	cs
dc.type	Text	cs
dc.type.driver	doctoralThesis	en
dc.type.evskp	dizertační práce	cs
dcterms.dateAccepted	2015-06-09	cs
dcterms.modified	2015-06-15-07:58:56	cs
eprints.affiliatedInstitution.faculty	Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií	cs
sync.item.dbid	64998	en
sync.item.dbtype	ZP	en
sync.item.insts	2021.11.12 19:23:05	en
sync.item.modts	2021.11.12 18:34:55	en
thesis.discipline	Fyzikální elektronika a nanotechnologie	cs
thesis.grantor	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav fyziky	cs
thesis.level	Doktorský	cs
thesis.name	Ph.D.	cs

Transport náboje v Ta2O5 oxidových nanovrstvách s aplikací na tantalové kondenzátory

Files

Original bundle

Collections