Měření vázaného náboje pomocí povrchového napětí
| but.committee | prof. Ing. Vladislav Musil, CSc. (předseda) doc. Ing. František Urban, CSc. (místopředseda) doc. Ing. Jaroslav Kadlec, Ph.D. (člen) Ing. Zdenka Rozsívalová (člen) Ing. Roman Prokop, Ph.D. (člen) | cs |
| but.defence | Studentka seznámila komisi se svojí závěrečnou prací a vhodně odpověděla na otázky oponenta práce: Je popisovaná metoda použitelná pro jiné než monokrystalické materiály? Jaké problémy se zde mohou vyskytnout? Jakou funkci má "vibrátor" použitý v zařízení pro měření náboje v izolační vrstvě podle obr. 2.1 na str.15? Dále byla pro doplnění dotázána na parametry vibrujícího hrotu elektrody? Jak se náboj do materiálu dostane? Teplota trojného bodu kdy existují všechny tři fáze současně? Dále byly diskutovány parametry zkoumaných materálů a MOS struktur. | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Hégr, Ondřej | cs |
| dc.contributor.author | Mojrová, Barbora | cs |
| dc.contributor.referee | Boušek, Jaroslav | cs |
| dc.date.accessioned | 2018-10-21T21:52:44Z | |
| dc.date.available | 2018-10-21T21:52:44Z | |
| dc.date.created | 2011 | cs |
| dc.description.abstract | Tato práce se zabývá vývojem alternativní metody měření vázaného náboje v tenkých dielektrických vrstvách pomocí povrchového napětí. Přítomnost náboje v pasivační vrstvě se projevuje tzv. Back Surface Field (BSF) efektem, který přispívá ke snižování povrchové rekombinační rychlosti na zadní straně solárního článku. V práci jsou popsána experimentální měření dielektrických vrstev Al2O3, AlN, SiNx, Y2O3 a PSG deponovaných na krystalickém křemíku. Povrchové napětí (tj. volná povrchová energie) je vyhodnocována z velikosti úhlu smáčení (kontaktního úhlu) pomocí See Systemu. | cs |
| dc.description.abstract | This work is deal with development of alternative method measuring fixed charge in thin dielectric layers by surface tension. Presence fixed charge takes effect so-called Back Surface Field (BFS), which helps to decrease surface recombination velocity on back side of solar cell. In work is described experimental measuring on dielectric layers Al2O3, AlN, SiNx, Y2O3 and PSG deposit on crystalline silicon wafers. Surface tension (it is the same like surface free energy) is analyzed from contact angle size using See System. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | MOJROVÁ, B. Měření vázaného náboje pomocí povrchového napětí [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2011. | cs |
| dc.identifier.other | 40896 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/1913 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | Pasivační vrstva | cs |
| dc.subject | Antireflexní vrstva | cs |
| dc.subject | Vázaný náboj | cs |
| dc.subject | Back surface field | cs |
| dc.subject | Volná povrchová energie | cs |
| dc.subject | Povrchové napětí | cs |
| dc.subject | Kontaktní úhel | cs |
| dc.subject | See System | cs |
| dc.subject | Solární článek | cs |
| dc.subject | Passivation layers | en |
| dc.subject | Antireflection coating | en |
| dc.subject | Fixed charge | en |
| dc.subject | Back surface field | en |
| dc.subject | Surface free energy | en |
| dc.subject | Surface tension | en |
| dc.subject | Contact angle | en |
| dc.subject | See System | en |
| dc.subject | Solar cell | en |
| dc.title | Měření vázaného náboje pomocí povrchového napětí | cs |
| dc.title.alternative | Fixed-charge examination by surface energy measurement | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2011-06-13 | cs |
| dcterms.modified | 2011-07-15-10:45:49 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| sync.item.dbid | 40896 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2021.11.10 14:00:10 | en |
| sync.item.modts | 2021.11.10 12:52:53 | en |
| thesis.discipline | Mikroelektronika a technologie | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektroniky | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |