Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET
| but.committee | doc. Dr. Ing. Miroslav Patočka (předseda) doc. Ing. Ondřej Vítek, Ph.D. (místopředseda) Ing. Dalibor Červinka, Ph.D. (člen) doc. Ing. Pavel Vorel, Ph.D. (člen) Ing. Petr Huták, Ph.D. (člen) Ing. Petr Procházka, Ph.D. (člen) Ing. Josef Šunka, Ph.D. (člen) | cs |
| but.defence | Obhajoba práce je na slušné úrovni, prezentace je logicky členěna. Student se vyjadřuje srozumitelně a svoje téma pěkně vysvětluje. Všechny otázky (oponenta i v diskuzi) byly odpovězeny. Práce je komisí celkově hodnocena výborně. | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Procházka, Petr | cs |
| dc.contributor.author | Vitek, Vojtech | cs |
| dc.contributor.referee | Vorel, Pavel | cs |
| dc.date.accessioned | 2019-05-17T14:22:11Z | |
| dc.date.available | 2019-05-17T14:22:11Z | |
| dc.date.created | 2013 | cs |
| dc.description.abstract | Bakalárska práca opisuje princípy budenia výkonových tranzistorov MOSFET z materiálu karbid kremíka SiC. Cieľom je podrobne opísať jednotlivé typy budenia a základné zásady pri navrhovaní budičov. Praktickou časťou práce je osadenie dosky plošných spojov budiča navrhnutého na UVEE FEKT VUT Brno a overenie jeho činnosti . | cs |
| dc.description.abstract | The bachelor thesis describes gate driving principles of power MOSFET transistors made of silicon carbide material. The autor's aim is describing a different types of gate drivers and basic rules during process of designing gate drivers. In the theoretical part, the author will mount printed circuit board of gate driver designed on UVEE FEKT VUT Brno and verify functionality. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | VITEK, V. Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2013. | cs |
| dc.identifier.other | 67318 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/24839 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | budič | cs |
| dc.subject | tranzistor | cs |
| dc.subject | MOSFET | cs |
| dc.subject | karbid kremíka | cs |
| dc.subject | gate driver | en |
| dc.subject | transistor | en |
| dc.subject | MOSFET | en |
| dc.subject | silicon carbide | en |
| dc.title | Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET | cs |
| dc.title.alternative | Drivers for power SiC MOSFET transistors | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2013-06-17 | cs |
| dcterms.modified | 2013-06-21-10:16:39 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| sync.item.dbid | 67318 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2021.11.12 10:59:23 | en |
| sync.item.modts | 2021.11.12 10:45:25 | en |
| thesis.discipline | Silnoproudá elektrotechnika a elektroenergetika | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav výkonové elektrotechniky a elektroniky | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |