Ga modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
| but.defence | cs | |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Mach, Jindřich | cs |
| dc.contributor.author | Hlavička, Ivo | cs |
| dc.contributor.referee | Lišková, Zuzana | cs |
| dc.date.accessioned | 2019-04-03T22:29:40Z | |
| dc.date.available | 2019-04-03T22:29:40Z | |
| dc.date.created | 2015 | cs |
| dc.description.abstract | Obsahem této bakalářské práce je výroba, charakterizace a úprava Schottkyho solárních článků s rozhraním grafen-Si. Nanesením grafenu vyrobeného metodou CVD na křemíkový substrát s elektrodami bylo vytvořeno základní Schottkyho rozhraní solárního článku. Toto rozhraní grafen-Si bylo poté modifikováno žíháním v UHV a byla stanovena závislost účinnosti na teplotě. Dále byly studovány vlivy atomu galia na Schottkyho přechod. Proměřením voltampérových charakteristik byla srovnána účinnost takto vyrobených a upravených článků, načež byla provedena analýza ochuzené zóny Schottkyho přechodu pomocí metody X-EBIC. | cs |
| dc.description.abstract | Main focus of this bachelor thesis is on fabrication, characterization and modification of graphene-on-silicon Schottky solar cells. By transfering CVD graphene onto silicon wafer with electrodes, a basic Schottky junction was created. The junction was then modified by annealing in UHV chamber as well as by gallium deposition. Information about power conversion efficiency of such Schottky solar cells was then obtained by IV measurement. Schottky junction itself was analyzed using X-EBIC method. | en |
| dc.description.mark | B | cs |
| dc.identifier.citation | HLAVIČKA, I. Ga modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2015. | cs |
| dc.identifier.other | 83964 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/41576 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | grafen | cs |
| dc.subject | CVD | cs |
| dc.subject | Schottkyho přechod | cs |
| dc.subject | solární článek | cs |
| dc.subject | depozice galia | cs |
| dc.subject | EBIC | cs |
| dc.subject | graphene | en |
| dc.subject | CVD | en |
| dc.subject | Schottky junction | en |
| dc.subject | solar cell | en |
| dc.subject | gallium deposition | en |
| dc.subject | EBIC | en |
| dc.title | Ga modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si | cs |
| dc.title.alternative | Schottky solar cells with interface graphene/Si modified by gallium | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2015-06-24 | cs |
| dcterms.modified | 2015-06-25-09:26:27 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 83964 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2021.11.10 14:12:31 | en |
| sync.item.modts | 2021.11.10 13:51:56 | en |
| thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |