Optimalizace zařízení pro přípravu GaN nanostruktur

Simple item page
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)cs
but.defencePo otázkách oponenta student předvedl funkční zařízení.cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorMach, Jindřichcs
dc.contributor.authorŠimek, Danielcs
dc.contributor.refereeVoborný, Stanislavcs
dc.date.accessioned2019-06-27T11:27:23Z
dc.date.available2019-06-27T11:27:23Z
dc.date.created2019cs
dc.description.abstractTato bakalářská práce se zabývá automatizací zdrojů pro depozici GaN nanokrystalů užívaných na Ústavu fyzikálního inženýrství. V rámci práce byl navržen a zkonstruován mechanizmus umožňující automatické ovládání clony galliové efuzní cely a řídící elektronika obsahující komponenty umožňující automatické spínání iontově atomárního zdroje dusíkových iontů. Dále byly metodou molekulární svazkové epitaxe s asistencí iontového svazku IBA-MBE připraveny vzorky GaN nanokrystalů na čtyřech různých substrátech, které byly studovány z hlediska studené emise elektronů. V závěru práce jsou diskutovány výsledky měření.cs
dc.description.abstractThis bachelor thesis deals with the automation of sources for the deposition of GaN nanocrystals used at the Institute of Physical Engineering. For the purpose of the thesis, the mechanism of automatic control of the gallium effusion cell shutter was designed and constructed and the control electronics containing components enabling automatic switching of the ion atomic source of nitrogen ions. In addition, samples of GaN nanocrystals on four different substrates that were studied for cold electron emission were prepared by the method of ion beam assisted molecular beam epitaxy IBA-MBE. The results of the measurement are discussed in the conclusion.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationŠIMEK, D. Optimalizace zařízení pro přípravu GaN nanostruktur [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2019.cs
dc.identifier.other117477cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/179519
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectGaN nanokrystalycs
dc.subjectemise elektronůcs
dc.subjectFowler-Nordheimova teoriecs
dc.subjectkoeficient zesílení polecs
dc.subjectGaN nanocrystalsen
dc.subjectelectron emissionen
dc.subjectFowler-Nordheim theoryen
dc.subjectfield enhancement factoren
dc.titleOptimalizace zařízení pro přípravu GaN nanostrukturcs
dc.title.alternativeOptimization of devices for deposition GaN nanostructuresen
dc.typeTextcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
dcterms.dateAccepted2019-06-20cs
dcterms.modified2019-06-21-14:08:45cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid117477en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.12 14:09:08en
sync.item.modts2021.11.12 12:58:09en
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
2.64 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
appendix-1.rar
Size:
257.17 KB
Format:
Unknown data format
Description:
appendix-1.rar
Download
Thumbnail Image
Name:
review_117477.html
Size:
8.94 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
review_117477.html
Download
Collections
2019