Příprava řezů vzorků a jejich analýza metodou SIMS

Simple item page
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Eduard Schmidt, CSc. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen)cs
but.defenceJak pracuje zařízení na měření doby letu iontů, které jste používal? Proč se používá k bombardování vzorků iontů bismutu? Jaké problémy by mohlo způsobovat použití primárního svazku iontů gallia? Jaké jiné ionty by bylo ještě vhodné použít?cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorBábor, Petrcs
dc.contributor.authorKarlovský, Jurajcs
dc.contributor.refereePechal, Radimcs
dc.date.accessioned2019-05-17T06:12:56Z
dc.date.available2019-05-17T06:12:56Z
dc.date.created2018cs
dc.description.abstractTáto práca sa zaoberá možnosťami štúdia polovodičových súčastok pomocou metódy SIMS s dôrazom na testovanie rôznych parametrov merania a rôznych spôsobov prípravy vzoriek. V rámci tejto práce bol navrhnutý a otestovaný držiak vzorky kompatibilný s používaným zariadením ToF-SIMS$^{5}$ od spoločnosti IONTOF, ktorý je schopný nakláňať vzorky o definovaný uhol voči vodorovnej rovine. Tento držiak umožňuje opracovávanie vzoriek v hlavnej komore zariadenia ToF-SIMS$^5$ bez nutnosti presunu vzorky medzi zariadeniami a držiakmi. Tento držiak bol použitý opracovaniu hrany vzorky TIGBT tranzistora a zobrazeniu hrany krátera predchádzajúceho merania. Na TIGBT tranzistoroch boli zobrazované vnútorné štruktúry preparované rôznymi spôsobmi. Ďalej boli optimalizované parametre merania tenckých vrstiev na molybdén-kremíkovom multivrstvovom R\"{o}ntgenovom zrkadle a na indiových multivrstvách v GaN, kde bol pozorovaný vplyv teploty vzorky behom merania SIMS na výsledné hĺbkové proifly.cs
dc.description.abstractThis thesis studies possible methods of semiconductor sample measurement by SIMS, with emphasis on testing different measurement parameters and sample preparation. Part of this master thesis deals with the design of a modified sample holder compatible with the used ToF-SIMS$^{5}$ instrument, IONTOF company, which is capable of tilting the sample by defined angle. This holder enables sample preparation in the main chamber of the instrument without the need of transferring the sample between instruments, which limits the probability of sample contamination. This sample holder was tested by ion machining of TIGBT sample edge and by imaging of a crater edge, created in previous measurement. Edge termination structures prepared by different techniques were measured on the TIGBT samples. Further measurements with the goal of optimizing the depth resolution for thin layers were done on Molybdenum-Silicon-multilayer X-Ray Mirror. Part of the measurements was focused on comparing depth profiles measured at low temperatures. For these measurements the samples with Indium multilayers in GaN substrate were used.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationKARLOVSKÝ, J. Příprava řezů vzorků a jejich analýza metodou SIMS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2018.cs
dc.identifier.other109779cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/83339
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectSIMScs
dc.subjectToFcs
dc.subjectTIGBTcs
dc.subjectdopovaniecs
dc.subjectpolovodičcs
dc.subjectUHVcs
dc.subjectmultivrstvacs
dc.subjectrezcs
dc.subjectIn-GaN kvantová jamacs
dc.subjectióncs
dc.subjecthĺbkový profilcs
dc.subject3D hĺbkový profilcs
dc.subjectSIMSen
dc.subjectToFen
dc.subjectTIGBTen
dc.subjectdopingen
dc.subjectsemiconductoren
dc.subjectUHVen
dc.subjectmultilayeren
dc.subjectcross sectionen
dc.subjectIn-GaN quantum wellen
dc.subjectionen
dc.subjectdepth profileen
dc.subject3D depth profileen
dc.titlePříprava řezů vzorků a jejich analýza metodou SIMScs
dc.title.alternativePreparation of sample cross-sections and analysis by SIMSen
dc.typeTextcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
dcterms.dateAccepted2018-06-18cs
dcterms.modified2018-06-20-15:32:02cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid109779en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.12 11:23:35en
sync.item.modts2021.11.12 10:29:37en
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
4.47 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
appendix-1.zip
Size:
457.58 KB
Format:
zip
Description:
appendix-1.zip
Download
Thumbnail Image
Name:
review_109779.html
Size:
9.14 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
review_109779.html
Download
Collections
2018