GaN modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen) | cs |
| but.defence | Byly zodpovězeny otázky oponenta. | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Mach, Jindřich | cs |
| dc.contributor.author | Mohelský, Ivan | cs |
| dc.contributor.referee | Voborný, Stanislav | cs |
| dc.date.accessioned | 2019-05-17T13:26:35Z | |
| dc.date.available | 2019-05-17T13:26:35Z | |
| dc.date.created | 2018 | cs |
| dc.description.abstract | Tato práce se zabývá přípravou a charakterizací Schottkyho solárních článků s přechodem grafen/křemík. Pro tuto studii byla navržena a vyrobena aparatura pro měření I-V charakteristik solárního článku. Rozhraní grafen/křemík bylo dále modifikováno nanokrystaly galium nitridu a byl studován vliv těchto krystalů na vlastnosti solárního článku. | cs |
| dc.description.abstract | This bachelor thesis deals with fabrication and characterization of Schottky solar cells with graphene/silicon junction. For this study, the I-V characteristic measuring device was designed and assembled. Also, the graphene/silicon junction was modified by GaN nanocrystals and properties of such a solar cell was studied. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | MOHELSKÝ, I. GaN modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2018. | cs |
| dc.identifier.other | 109729 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/83759 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | solární článek | cs |
| dc.subject | Schottkyho přechod | cs |
| dc.subject | grafen | cs |
| dc.subject | CVD | cs |
| dc.subject | GaN nanokrystaly | cs |
| dc.subject | I-V charakteristika | cs |
| dc.subject | solar cell | en |
| dc.subject | Schottky junction | en |
| dc.subject | graphene | en |
| dc.subject | CVD | en |
| dc.subject | GaN nanocrystals | en |
| dc.subject | I-V characteristic | en |
| dc.title | GaN modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si | cs |
| dc.title.alternative | Schottky solar cells with interface graphene/si modified by GaN | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2018-06-21 | cs |
| dcterms.modified | 2018-06-25-06:47:55 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 109729 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2021.11.12 12:07:25 | en |
| sync.item.modts | 2021.11.12 10:56:57 | en |
| thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |