SPICE model struktury LDMOS
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
V této bakalářské práci je provedeno porovnání struktury LDMOS oproti konvenční MOS struktuře. Anomální efekty, výzvy, které tato struktura přináší do oblasti modelování a charakterizace jsou popsány v první kapitole. Další část této práce se zaměřuje na existující možné přístupy v charakterizaci LDMOS struktury, které se používají v polovodičovém průmyslu. V druhé kapitole je také popsána BSIM metodologie, která je dále použitá pro vytváření modelu LDMOS popisujícího DC a CV chování. Kroky charakterizace, která probíhala v laboratoři ON Semiconductor, jakožto měření součástky a ladění charakteristik modelu až do výsledného souboru parametrů BSIM4, jsou uvedeny v posledních kapitolách této práce.
In this bachelor thesis, comparison of Lateral Double-diffused MOS against conventional MOS structure is presented. Anomalous effects, issues that this high-voltage device brings to modeling and characterization, and theoretical analysis of this type of structure are described in the first chapter. Next part of this project is focused on possible approaches in characterization that is used in the semiconductor industry, of LDMOS. The BSIM methodology, described in chapter two, has been chosen to create a DC and CV model of an n-type LDMOS device measured at the ON semiconductor laboratory. The steps of characterization, such as measurement, tuning of characteristics to an optimized BSIM4 parameter set are reported in the last chapters of this work.
In this bachelor thesis, comparison of Lateral Double-diffused MOS against conventional MOS structure is presented. Anomalous effects, issues that this high-voltage device brings to modeling and characterization, and theoretical analysis of this type of structure are described in the first chapter. Next part of this project is focused on possible approaches in characterization that is used in the semiconductor industry, of LDMOS. The BSIM methodology, described in chapter two, has been chosen to create a DC and CV model of an n-type LDMOS device measured at the ON semiconductor laboratory. The steps of characterization, such as measurement, tuning of characteristics to an optimized BSIM4 parameter set are reported in the last chapters of this work.
Description
Citation
LOGINOV, D. SPICE model struktury LDMOS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2019.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
en
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc. (předseda)
prof. Ing. Dalibor Biolek, CSc. (místopředseda)
Ing. Jiří Majzner, Ph.D. (člen)
Ing. Radim Hrdý, Ph.D. (člen)
Ing. Marek Bohrn, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2019-06-11
Defence
Student seznámil státní zkušební komisi s řešením své bakalářské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta.
Komise byla s odpověďmi spokojená.
Dále odpověděl na otázky komise:
K: Při jakých nastavených teplotách jste simuloval model? S: Při 27 °C.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení