Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Bakalárska práca opisuje princípy budenia výkonových tranzistorov MOSFET z materiálu karbid kremíka SiC. Cieľom je podrobne opísať jednotlivé typy budenia a základné zásady pri navrhovaní budičov. Praktickou časťou práce je osadenie dosky plošných spojov budiča navrhnutého na UVEE FEKT VUT Brno a overenie jeho činnosti .
The bachelor thesis describes gate driving principles of power MOSFET transistors made of silicon carbide material. The autor's aim is describing a different types of gate drivers and basic rules during process of designing gate drivers. In the theoretical part, the author will mount printed circuit board of gate driver designed on UVEE FEKT VUT Brno and verify functionality.
Description
Citation
VITEK, V. Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2013.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Silnoproudá elektrotechnika a elektroenergetika
Comittee
doc. Dr. Ing. Miroslav Patočka (předseda) doc. Ing. Ondřej Vítek, Ph.D. (místopředseda) Ing. Dalibor Červinka, Ph.D. (člen) doc. Ing. Pavel Vorel, Ph.D. (člen) Ing. Petr Huták, Ph.D. (člen) Ing. Petr Procházka, Ph.D. (člen) Ing. Josef Šunka, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2013-06-17
Defence
Obhajoba práce je na slušné úrovni, prezentace je logicky členěna. Student se vyjadřuje srozumitelně a svoje téma pěkně vysvětluje. Všechny otázky (oponenta i v diskuzi) byly odpovězeny. Práce je komisí celkově hodnocena výborně.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO