Měření vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
V rámci zefektivnění měření vlastností tranzistorů, ať už unipolárních (FET) nebo bipolárních (BJT), v laboratorních podmínkách a tím jejich lepší pochopení v rámci probírané látky, je žádoucí mít k dispozici pracoviště respektive přípravek, umožňující tato měření s obměnitelnými měřenými prvky. Práce je zaměřena nejen na návrh a vývoj takovéhoto přípravku, ale zároveň obsahuje stručný popis základních parametrů a vlastností tranzistorů. Dále se práce zabývá realizací programů pro měření statických charakteristik tranzistorů v prostředí programu VEE 8.0 Pro. Výstupem by tedy měla být komplexní laboratorní úloha zaměřená na bipolární a unipolární tranzistory včetně navržených programů. K vývoji DPS přípravku byl použit návrhový systém Eagle. V práci je samozřejmě obsažená i teorie potřebná pro měření a programování měřicích přístrojů. Kromě změny měřeného prvku je zde možnost obměny zapojení tranzistoru v obvodu a to jak pro BJT (SE, SC, SB) tak pro unipolární JFET (SS, SG, SD) tranzistory.
In terms of the better effectiveness in the sphere of transistor characteristics measuring, no matter unipolar (FET) or bipolar (BJT), in laboratory conditions and their better understanding in terms of thrash out a subject matter is desirable have to available workplace let us say preparation enabling this kind of measuring with modifiability wiring and with possibility to change measured component. This thesis isn‘t focused only on development of this kind of universal component for measuring but simultaneously contains brief summary about the theory and parameters of transistors. Next aim is the development and realisation of static characteristic measuring program in VEE 8.0 Pro environment. Finally the complex laboratory exercise has to be done for measuring of bipolar and unipolar transistor’s static characteristics include programs for automatic measuring. For developing of DPS was used developing system named Eagle which gives us instrument with sufficiently accuracy. In thesis is contained theory needed for measuring and programming. Except possibility of measured component change we can change transistor connection in circuit on the board. This change is available for BJT (CE, CB, CC) and unipolar JFET (CS, CG, CD) transistor’s.
In terms of the better effectiveness in the sphere of transistor characteristics measuring, no matter unipolar (FET) or bipolar (BJT), in laboratory conditions and their better understanding in terms of thrash out a subject matter is desirable have to available workplace let us say preparation enabling this kind of measuring with modifiability wiring and with possibility to change measured component. This thesis isn‘t focused only on development of this kind of universal component for measuring but simultaneously contains brief summary about the theory and parameters of transistors. Next aim is the development and realisation of static characteristic measuring program in VEE 8.0 Pro environment. Finally the complex laboratory exercise has to be done for measuring of bipolar and unipolar transistor’s static characteristics include programs for automatic measuring. For developing of DPS was used developing system named Eagle which gives us instrument with sufficiently accuracy. In thesis is contained theory needed for measuring and programming. Except possibility of measured component change we can change transistor connection in circuit on the board. This change is available for BJT (CE, CB, CC) and unipolar JFET (CS, CG, CD) transistor’s.
Description
Keywords
Deska plošných spojů, DPS, Návrhový systém, Bipolární, Unipolární, BJT, FET, SC (SD), SB (SG), SE (SS), Báze, Emitor, Kolektor, Drain, Gate, Source, Statické charakteristiky, VEE, Transistor characteristics, Printed circuit board, PCB, Development system, BJT, FET, CC (CD), CB (CG), CE (CS), Base, Collector, Emitter, Drain, Gate, Source, Static characteristic, VEE
Citation
KAŇA, L. Měření vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Elektronika a sdělovací technika
Comittee
prof. Ing. Ivo Provazník, Ph.D. (předseda)
prof. Ing. Tomáš Kratochvíl, Ph.D. (místopředseda)
Ing. Jiří Dřínovský, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Jaromír Kolouch, CSc. (člen)
Ing. Zbyněk Lukeš, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Jiří Petržela, Ph.D. (člen)
Ing. Josef Halámek, CSc. (člen)
Date of acceptance
2009-06-15
Defence
Student prezentuje výsledky a postupy řešení své bakalářské práce. Následně odpovídá na dotazy vedoucího a oponenta práce a na dotazy členů zkušební komise.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení