Měření dynamických vlastností bipolárních tranzistorů

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Cieľom bakalárskej práce je rozobrať teoretický základ merania bipolárnych tranzistorov. V prvom rade statické vlastnosti BJT, nastavenie jednosmerných napätí a prúdov v elektrickom obvode (pracovný bod). Ďalej rozoberá meranie vybraných dynamických vlastností zosilňovača s bipolárnym tranzistorom. Teoretické poznatky sú prezentované na praktickom zapojení a laboratórnom meraní týchto vlastností s pripojenými laboratórnymi meracími prístrojmi. Meranie je automatizované pomocou počítača s vývojovým prostredím LabVIEW. Sú vyvinuté užívateľské programy na zmeranie V-A charakteristík bipolárneho tranzistora a meranie dynamických vlastností zosilňovača. Práca poukazuje na výhodný spôsob vývoja programového vybavenia pre automatizovanie merania pomocou grafického programovania v LabVIEW.
The aim of this bachelor thesis is to analyze theoretical basis of measurement bipolar transistors. First, this project focuses on the static parameters of a bipolar transistor, setting DC voltages and currents in an electric circuit (Q-point, operating point). Second it deals with measurement of selected dynamic properties of amplifier with bipolar transistor. Theoretical knowledge is presented on the practical circuit by a laboratory measurement of the selected properties. The measurement is automated using a computer with LabVIEW software. User programs are developed for measuring the V-A characteristics of a bipolar transistor and for measuring selected dynamic properties of the amplifier. The thesis points out a convenient approach in development of new software for automated measurement using graphical programming in LabVIEW.
Description
Citation
REPČÍK, J. Měření dynamických vlastností bipolárních tranzistorů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2015.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. (předseda) doc. Ing. Pavel Šteffan, Ph.D. (místopředseda) Ing. Miroslav Zatloukal (člen) Ing. Milan Šesták (člen) doc. Ing. František Urban, CSc. (člen)
Date of acceptance
2015-06-16
Defence
Student seznámil státní závěrečnou komisi s cílem a řešením své bakalářské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Otázky v diskuzi: Je možné přípravek jednoduše opravit? Jak by jste přešně definoval proudový zesilovací činitel a H21e? Víte jak se tranzistor chová při velkém kolektorovém napětí? Student otázky odpověděl.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO