Show simple item record

Deposition of Ga and GaN nanostructures on graphene substrate treated by atomic hydrogen

dc.contributor.advisorMach, Jindřichcs
dc.contributor.authorBárdy, Stanislavcs
dc.date.accessioned2019-05-17T06:10:21Z
dc.date.available2019-05-17T06:10:21Z
dc.date.created2016cs
dc.identifier.citationBÁRDY, S. Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2016.cs
dc.identifier.other92723cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/60772
dc.description.abstractV tejto práci sme sa venovali štúdiu gália na graféne. Depozície Ga boli vykonané použitím Molekulárnej zväzkovej epitaxie. Pozorovali sme Ramanovo zosilnenie a posun píkov spôsobený individuálnymi Ga ostrovčekmi. Simulácia potvrdila náš predpoklad, že zosilnenie je plazmonickej povahy, ktorá je zároveň hlavným mechanizmom Povrchovo-zosilnenej Ramanovej spektroskopie. Ďalším výsledkom je hydrogenácia grafénu pred Ga depozíciou má vplyv na štruktúru vzorky po depozícii a znižuje difúznu dĺžku atómov Ga.cs
dc.description.abstractIn this work we studied gallium on graphene. Depositions were done by Molecular beam epitaxy. We observed Raman enhancement and peak shifts by individual Ga islands. Simulation confirmed our assumption, that the enhancement is based on plasmonics effect that is also the main contribution of Surface-enhanced Raman spectroscopy. Another result is hydrogenation of graphene before deposition does have an effect on Ga structure and reduces diffusion length of Ga atoms.en
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectRamanovo zosilneniecs
dc.subjectSERScs
dc.subjectgáliumcs
dc.subjectgraféncs
dc.subjectmolekulová zväzková epitaxiacs
dc.subjectRaman enhancementen
dc.subjectSERSen
dc.subjectgalliumen
dc.subjectgrapheneen
dc.subjectmolecular beam epitaxyen
dc.titleDepozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrátcs
dc.title.alternativeDeposition of Ga and GaN nanostructures on graphene substrate treated by atomic hydrogenen
dc.typeTextcs
dcterms.dateAccepted2016-06-20cs
dcterms.modified2016-06-23-09:47:28cs
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
sync.item.dbid92723en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.12 22:22:07en
sync.item.modts2021.11.12 21:34:24en
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
dc.contributor.refereeVáňa, Rostislavcs
dc.description.markAcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) prof. RNDr. Eduard Schmidt, CSc. (člen)cs
but.defencecs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.jazykčeština (Czech)


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record