Show simple item record

Electrical properties of nanostructured TaxOy for capacitive applications

dc.contributor.advisorŠimůnková, Helenaen
dc.contributor.authorNováková, Terezaen
dc.date.accessioned2019-04-03T22:11:24Z
dc.date.available2019-04-03T22:11:24Z
dc.date.created2017cs
dc.identifier.citationNOVÁKOVÁ, T. Elektrické vlastnosti nanostrukturovaných povrchů TaxOy pro kapacitní aplikace [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2017.cs
dc.identifier.other102949cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/66032
dc.description.abstractCílem diplomové práce bylo nastudovat a popsat mechanismy transportu náboje v tantalovém kondenzátoru. Práce obsahuje stručný teoretický úvod do problematiky kondenzátoru jako součástky a dále se zabývá jednotlivými mechanismy přenosu náboje jako je ohmická, Poole-Frenkel proudová, Schottkyho, tunelovací a emisní složka a také proudem prostorového náboje. V experimentální části byly měřeny ampér-voltové I/V, ampér-časové I/t a impedanční charakteristiky, jejichž data byla následně zpracována pomocí např. Mott-Schottkyho analýzy a byly vyhodnoceny elektrické parametry jako je aktivační energie, koncentrace dopantů, akumulační kapacita nebo potenciálová bariéra. Výsledky, vypočtené veličiny a naměřené hodnoty jsou diskutovány.en
dc.description.abstractThe aim of thesis was to study and describe various charge transport mechanisms present in a tantalum capacitor. The study comprises a theoretical introduction with a short description of a capacitor as an element and follows with conduction mechanisms such as ohmic, Schottky, Poole-Frenkel, tunneling, thermionic emission and space charge current components. Current-voltage (I/V) dependency, impedance characteristics as well as current-time (I/t) dependencies were measured. Obtained data was then analyzed utilizing e.g. the Mott-Schottky analysis and utilized in computations aiming to obtain electrical properties of the structure, such as the activation energy, dopant concentration, accumulation capacitance or potential barrier. The results, computed parameters and measured parameters are then discussed.cs
dc.language.isoencs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectMechanismy přenosu elektrického nábojeen
dc.subjectkapacitaen
dc.subjectMIS strukturaen
dc.subjectI/V a I/t charakteristikaen
dc.subjectC/V charakteristikaen
dc.subjectMott-Schottkyho analýzaen
dc.subjectCharge transport mechanismscs
dc.subjectcapacitancecs
dc.subjectMIS structurecs
dc.subjectI/V and I/T dependencycs
dc.subjectC/V dependencycs
dc.subjectMott-Schottky analysiscs
dc.titleElektrické vlastnosti nanostrukturovaných povrchů TaxOy pro kapacitní aplikaceen
dc.title.alternativeElectrical properties of nanostructured TaxOy for capacitive applicationscs
dc.typeTextcs
dcterms.dateAccepted2017-06-06cs
dcterms.modified2017-06-08-15:30:27cs
thesis.disciplineMikroelektronikacs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektronikycs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
sync.item.dbid102949en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2019.06.21 08:17:10en
sync.item.modts2019.05.18 13:05:10en
dc.contributor.refereeBoušek, Jaroslaven
dc.description.markBcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record