Chemická pasivace povrchu křemíkových desek pro solární články
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Táto diplomová práca sa zaoberá skúmaním rôznych druhov roztokov pre chemickú pasiváciu kremíkového povrchu na testovacie účely kremíkových rezov s ich následným porovnaním. Hlavnou úlohou práce je nájsť optimálny roztok, ktorý vyhovuje požiadavkám časovej stability a rýchlosti nábehu pasivačných schopností roztoku, reprodukovatežnosti merania a možnosti dokonalého oplachu zbytkov pasivačného roztoku z kremíkového povrchu, aby po opätovnom vrátení kremíkovej dosky do výrobného procesu nedochádzalo k zhoršeniu vlastností meranej kremíkovej dosky a kontaminácii celej série vyrábaných solárnych článkov, pričom oplachovacia metóda po chemickej pasivácii je takisto predmetom skúmania.
This master´s thesis deals with an examination of different solution types a for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solution, which suits the requirements of a time stability and start-up velocity of passivation, reproducibility of the measurements and a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution remainig from a silicon surface, so that the parameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process. The cleaning process itself is also a subject of a development.
This master´s thesis deals with an examination of different solution types a for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solution, which suits the requirements of a time stability and start-up velocity of passivation, reproducibility of the measurements and a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution remainig from a silicon surface, so that the parameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process. The cleaning process itself is also a subject of a development.
Description
Keywords
pasivácia kremíkového povrchu, chinhydrón, chemická pasivácia, jódová pasivácia, simulačný program PC1D, meranie doby života minoritných nosičov náboja, metóda MW PCD, passivation of a silicon surface, quinhydrone, chemical passivation, iodine passivation, simulation program PC1D, measurement of minority carrier lifetime, method MW PCD (Microwave Photoconductivity Decay)
Citation
SOLČANSKÝ, M. Chemická pasivace povrchu křemíkových desek pro solární články [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
sk
Study field
Mikroelektronika
Comittee
prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. (předseda)
doc. Ing. Jiří Háze, Ph.D. (místopředseda)
Ing. Ondřej Sajdl, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Antonín Rek, CSc. (člen)
Ing. Jiří Špinka (člen)
Date of acceptance
2009-06-08
Defence
V jaké formě se může vodík vázat na volné křemíkové vazby a co způsobuje jeho nestabilitu v delším čase?
Charakterizujte světelné spektrum (vlnová délka, penetrační hloubka), použité pro generaci páru elektron-díra v křemíkovém substrátu při měření metodou MW-PCD.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení