Metody přenosu grafenu vedoucí k vysoké kvalitě grafenových polem řízených tranzistorů
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Tato bakalářská práce se zabývá vlivem různých metod přenosu grafenu na jeho kvalitu. Grafen byl vyroben pomocí metody chemické depozice z plynné fáze (Chemical Vapor Deposition -- CVD). Charakterizace kvality následně přeneseného grafenu je založena na měření pohyblivosti nosičů náboje, které probíhalo na polem řízených tranzistorech vyrobených přenesením grafenové vrstvy na křemíkový substrát s vrstvou SiO$_2$. Metody přenosu, které jsou v této práci porovnávány, jsou chemické leptání a elektrolytická delaminace. Výsledky měření ukázaly, že grafenové vrstvy přenesené elektrolytickou delaminací vykazují přibližně čtyřikrát vyšší pohyblivost nosičů náboje, než ty, které byly přeneseny pomocí metody chemického leptání.
This bachelor thesis is focused on the influence of different graphene transfer methods on its quality. Graphene layers were grown by Chemical Vapour Deposition (CVD) method. The quality characterization of subsequently transfered graphene is based on the measurement of charge carrier mobility which has been performed on the field-effect transistors fabricated by transferring of graphene layers onto Si/SiO$_2$ surface. Chemical etching and electrolytic delamination are the transfer methods that are being compared in this thesis. Results of the measurements showed that graphene layers transferred by electrolytic delamination exhibit approximately four times higher charge carrier mobility than those transferred by the chemical etching method.
This bachelor thesis is focused on the influence of different graphene transfer methods on its quality. Graphene layers were grown by Chemical Vapour Deposition (CVD) method. The quality characterization of subsequently transfered graphene is based on the measurement of charge carrier mobility which has been performed on the field-effect transistors fabricated by transferring of graphene layers onto Si/SiO$_2$ surface. Chemical etching and electrolytic delamination are the transfer methods that are being compared in this thesis. Results of the measurements showed that graphene layers transferred by electrolytic delamination exhibit approximately four times higher charge carrier mobility than those transferred by the chemical etching method.
Description
Citation
TESAŘ, J. Metody přenosu grafenu vedoucí k vysoké kvalitě grafenových polem řízených tranzistorů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2018.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda)
prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2018-06-21
Defence
Byly zodpovězeny otázky oponenta.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení