2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
| but.defence | Po otázkách oponenta bylo dále diskutováno: Výroba lamely pro pozorování v transmisním elektronovém mikroskopu. | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Bábor, Petr | cs |
| dc.contributor.author | Vařeka, Karel | cs |
| dc.contributor.referee | Šamořil, Tomáš | cs |
| dc.date.accessioned | 2019-06-27T10:41:20Z | |
| dc.date.available | 2019-06-27T10:41:20Z | |
| dc.date.created | 2019 | cs |
| dc.description.abstract | Chemická analýza polovodičových struktur pomocí metody SIMS je hlavní náplní této bakalářské práce. Umožňuje hloubkové profilování a vytváření 2D či 3D snímků materiálů. Během zkoumání čipu z polovodiče TIGBT dochází k odprašování heterogenní struktury s různou rychlostí odprašování jednotlivých částí. Ukázalo se jako výhodné provést řez tímto vzorkem pomocí fokusovaného iontového svazku tak, aby vznikl profil umožňující provedení tomografického měření. Tato nově vzniklá plocha zaručuje chemickou analýzu profilu polovodičových struktur bez nutnosti odprašování v dynamickém SIMS módu. Rekonstrukcí jednotlivých dvourozměrných snímků lze sestavit 3D obrazec analyzované části vzorku. Byla provedena i příprava a vyjmutí lamely z čipu TIGBT za účelem analýzy detektorem prošlých elektronů. | cs |
| dc.description.abstract | The chemical analysis of semiconductor structures using the SIMS method is the main part of this bachelor thesis. It allows the user to make a depth profiling and a creation of 2D or 3D material images. During the analysis of the chip from the TIGBT semiconductor, there is a sputtering of a heterogeneous structure in the material with different sputtering rates. It is convenient to make a cut through the material using a focused ion beam to create a profile, which grants the user to perform a tomographic measurement. This new surface enables a chemical analysis of a depth profile of semiconductor structures without the need for sputtering beam in dynamic SIMS mode. By reconstructing individual two-dimensional images, it is possible to assemble a three-dimensional pattern of the analysed sample area. Also, the preparation and removal of the lamella from the TIGBT chip were accomplished and analysed via a detector of transmission electrons. | en |
| dc.description.mark | B | cs |
| dc.identifier.citation | VAŘEKA, K. 2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2019. | cs |
| dc.identifier.other | 117579 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/179360 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | SIMS | cs |
| dc.subject | SEM | cs |
| dc.subject | FIB | cs |
| dc.subject | TOF | cs |
| dc.subject | tomografie | cs |
| dc.subject | 2D a 3D chemická analýza | cs |
| dc.subject | TIGBT | cs |
| dc.subject | polovodičová struktura | cs |
| dc.subject | odprašování | cs |
| dc.subject | lamela | cs |
| dc.subject | SIMS | en |
| dc.subject | SEM | en |
| dc.subject | FIB | en |
| dc.subject | TOF | en |
| dc.subject | tomography | en |
| dc.subject | two-dimensional and three-dimensional chemical analysis | en |
| dc.subject | TIGBT | en |
| dc.subject | semiconductor structures | en |
| dc.subject | sputtering | en |
| dc.subject | lamella | en |
| dc.title | 2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS | cs |
| dc.title.alternative | 2D and 3D analysis of semiconductor devices by SIMS | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2019-06-21 | cs |
| dcterms.modified | 2019-06-21-14:08:45 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 117579 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2021.11.12 22:09:18 | en |
| sync.item.modts | 2021.11.12 21:12:15 | en |
| thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |