Návrh nového termálního disociačního zdroje kyslíkových atomů
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Pomocí atomárních zdrojů kyslíku se vyrábí a studují ultratenké oxidové vrstvy, především tzv. high-k vrstvy. Ty jsou základem CMOS tranzistorů a DRAM kondenzátorů. Tato práce zpracovává teorii atomárních svazků kyslíku a způsoby jejich získání. Na základě těchto podkladů je vytvořen konstrukční návrh unikátního typu disociačního atomárního zdroje kyslíku. Návrh byl testován jednoduchými experimenty. Dale je vypracován 3D model zdroje a kompletní výkresová dokumentace.
Ultrathin oxid layers (especially high-k layers) are studied and fabricated by using atomic oxygen sources. These high-k ultrathin layers are integrated into CMOS transistors and DRAM capacitors. In this thesis theory of atomic oxygen beams and ways of theirs creation is summarized. On the basis of the obtained knowledge the engineering design of a unique type of the thermal atomic oxygen source is created. The design was tested by simple experiments. The 3D model and complete engineering drawings are included.
Ultrathin oxid layers (especially high-k layers) are studied and fabricated by using atomic oxygen sources. These high-k ultrathin layers are integrated into CMOS transistors and DRAM capacitors. In this thesis theory of atomic oxygen beams and ways of theirs creation is summarized. On the basis of the obtained knowledge the engineering design of a unique type of the thermal atomic oxygen source is created. The design was tested by simple experiments. The 3D model and complete engineering drawings are included.
Description
Citation
ŠIKULA, M. Návrh nového termálního disociačního zdroje kyslíkových atomů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2013.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda)
prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen)
prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of acceptance
2013-06-19
Defence
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení